FABRICATION METHOD OF POLY CRYSTALLINE SI TFT,申请号KR20040056815-传众专利搜索

发明名称	FABRICATION METHOD OF POLY CRYSTALLINE SI TFT
摘要
申请公布号	KR20060008521(A)	申请公布日期	2006.01.27
申请号	KR20040056815	申请日期	2004.07.21
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.	发明人	JUNG, JI SIM;TAKASHI NOGUCHI;KIM, DO YOUNG;KWON, JANG YEON
分类号	H01L29/786	主分类号	H01L29/786
代理机构		代理人
主权项
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