| 摘要 |
<p>Ein Verfahren zum Teilen eines Wafers mit einer Mehrzahl von ersten Teilungslinien und einer Mehrzahl von zweiten, sich mit den ersten Teilungslinien kreuzenden Teilungslinien, die an der Fläche des Wafers gebildet sind, entlang der ersten Teilungslinien und der zweiten Teilungslinien, welches aufweist: einen eine innere verschlechterte Schicht bildenden Schritt zum Bilden einer verschlechterten Schicht im Inneren des Wassers entlang der ersten Teilungslinien und der zweiten Teilungslinien durch Aufbringen eines Laserstrahls entlang der ersten Teilungslinien und der zweiten Teilungslinien; einen eine verschlechterte Kreuzungs-Schicht bildenden Schritt zum Bilden einer verschlechterten Schicht dicker als die verschlechterte Schicht, die in dem die Innere verschlechterte Schicht bildenden Schritt gebildet ist, durch Aufbringen eines Laserstrahls auf Kreuzungsbereiche zwischen den ersten Teilungslinien und den zweiten Teilungslinien; und einen Teilungsschritt zum Teilen des Wafers in einzelne Chips entlang der ersten Teilungslinien und der zweiten Teilungslinien durch Ausüben einer äußeren Kraft auf den Wafer.</p> |
