发明名称 Leistungsverstärkeranordnung und Verfahren zum Verarbeiten eines Hochfrequenzsignals
摘要 Eine Leistungsverstärkeranordnung umfasst einen Leistungsverstärker in einem Halbleiterkörper. Zumindest ein erster Eingangsanschluss (28) auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers (2) ist für eine Zuführung eines zu verstärkenden Signals vorgesehen. Ein erster Ausgangsabgriff (21, 22) der Anordnung ist zur Abgabe eines Signals mit einer ersten Mittenfrequenz ausgebildet, ein zweiter und ein dritter Ausgangsabgriff (23, 24) sind zur Abgabe eines zweiten Signals mit einer zweiten Mittenfrequenz ausgebildet. An den zweiten und dritten Ausgangsabgriff (23, 24) auf der Oberfläche des Halbleiterkörpers (2) ist je ein Leitungsdraht (63, 64) angeschlossen. Erfindungsgemäß ist ein Ladungsspeicher (40) vorgesehen, welcher mit dem dritten Ausgangsabgriff (24) gekoppelt ist und der zur Bildung eines Serienresonanzkreises mit dem an den dritten Ausgangsabgriff (24) angeschlossenen Leitungsdraht (64) ausgebildet ist.
申请公布号 DE102004031687(A1) 申请公布日期 2006.01.26
申请号 DE20041031687 申请日期 2004.06.30
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 SCHMID, ALFONS;KITLINSKI, KRZYSZTOF;DONIG, GUENTER;KAPFELSPERGER, BORIS
分类号 H01L23/50;H01L23/64;H03F1/56;H03F3/19;H03F3/21 主分类号 H01L23/50
代理机构 代理人
主权项
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