Verfahren zur Beseitigung von Redepositionen von einem Wafer

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beseitigung von Redepositionen auf einem Wafer sowie einen Wafer, der frei von Redepositionen ist. Die Entfernung der Redepositionen am Wafer findet nach Aufbringung einer Schutzschicht auf der Topelektrode und den Grenzflächen der Topelektrode mit dem Dielektrikum statt, so daß diese Bereiche durch die naßchemischen Mittel, durch die die Redepositionen einzig wirkungsvoll beseitigt werden können, nicht beschädigt werden.