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发明名称
Method of manufacturing metal oxide semiconductor transistor using dual silicidation
摘要
申请公布号
KR100546390(B1)
申请公布日期
2006.01.26
申请号
KR20030074664
申请日期
2003.10.24
申请人
发明人
分类号
H01L21/24
主分类号
H01L21/24
代理机构
代理人
主权项
地址
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