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Es wird ein Dünnschichttransistor angegeben, der als Schaltbauteil in jeweiligen Pixeln eines Aktivmatrix-Flüssigkristalldisplays dient und mit Folgendem versehen ist: einer Sourceelektrode in Überlappung mit der Gateelektrode und der ersten Halbleiterschicht und in Kontakt mit einem der zwei Teile der zweiten Halbleiterschicht und einer Drainelektrode in Überlappung mit der Gateelektrode und der ersten Halbleiterschicht und in Kontakt mit dem anderen der zwei Teile der zweiten Halbleiterschicht, wobei die Source- und die Drainelektrode einen Kanalbereich in der ersten Halbleiterschicht mit einer Länge zwischen dem ersten und dem zweiten Abschnitt derselben und einer Breite bilden, die mit der Breite mindestens eines der zwei Teile der zweiten Halbleiterschicht übereinstimmt, so dass das Verhältnis der Breite zur Länge (W/L) des Kanalbereichs in einem Bereich von 8 bis 10 liegt.
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