| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供一种抑制由光邻近效应引起的晶体管的栅极长度不均匀的半导体装置。本发明的半导体装置，横跨P型扩散区域、N型扩散区域以及元素分离区域形成，备有：具有位于扩散区域上的栅极电极单元(G21a～G21c)和位于元素分离区域上的栅极布线单元(G22a～G22c)的多个栅极多晶硅膜(G20a～G20c)。并且，贯通层间绝缘膜，设有连接在栅极布线单元(G22a～G22c)的栅极触点(C23a～C23c)，连接在各栅极触点(C23a～C23c)的布线(M21)。栅极触点(C23a～C23c)的直径R比栅极多晶硅膜(G20)的栅极长度L大。 | ||
| 申请公布号 | CN1725491A | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
| 申请号 | CN200510085984.9 | 申请日期 | 2005.07.20 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 生驹大策;柁谷敦宏;大谷一弘;山下恭司 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板；形成于所述半导体基板，作为MIS晶体管形成区域的扩散区域；围绕所述扩散区域的元素分离区域；栅极长度方向尺寸恒定的至少一个栅极导体膜，其具有横跨所述扩散区域和元素分离区域形成，位于所述扩散区域的栅极电极单元，以及位于所述元素分离区域的栅极布线单元；覆盖所述栅极电极的层间绝缘膜；和栅极触点，其贯通所述层间绝缘膜，连接所述栅极布线单元，并具有比所述栅极布线单元的栅极长度方向尺寸大的栅极长度方向尺寸。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||