| 发明名称 | 图形化应变的半导体衬底和器件 | ||
| 摘要 | 公开了一种方法，它包括在衬底上形成应变材料和弛豫材料的图形；在应变材料中形成应变器件；以及在弛豫材料中形成非应变器件。在一个实施方案中，应变材料是处于拉伸或压缩状态的硅(Si)，而弛豫材料是处于正常状态的Si。硅锗(SiGe)、碳化硅(SiC)、或相似材料的缓冲层被形成在衬底上，且具有与衬底的晶格常数/结构失配。SiGe、SiC、或相似材料的弛豫层被形成在缓冲层上，并使应变材料处于拉伸或压缩状态。在另一实施方案中，掺碳的硅或掺锗的硅被用来形成应变材料。此结构包括其上图形化有应变材料和非应变材料的多层衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN1725437A | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
| 申请号 | CN200510008258.7 | 申请日期 | 2005.02.07 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 程慷果;拉马查恩德拉·德瓦卡鲁尼 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种方法，它包含：在衬底上形成应变材料和弛豫材料的图形；在应变材料中形成应变器件；以及在弛豫材料中形成非应变器件。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||