形成包括平台结构和多层钝化层的半导体器件和相关器件的方法

摘要

一种形成半导体器件的方法，包括在衬底上形成半导体结构，其中，该半导体结构定义了具有与衬底相对的平台表面和在平台表面和衬底之间平台侧壁的平台。可以在平台侧壁的至少部分上和与平台侧壁相邻的衬底上形成第一钝化层，其中，平台表面的至少部分没有第一钝化层，且其中，第一钝化层包括第一材料。第二钝化层可以在第一钝化层上形成，其中平台表面至少部分没有第二钝化层，其中，第二钝化层包括不同于第一材料的第二材料。相关的器件也有所讨论。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成半导体结构，该半导体结构定义了平台，该平台具有与衬底相对的平台表面和位于平台表面和衬底之间的平台侧壁；在平台侧壁的至少部分上和相邻于平台侧壁的衬底上形成第一钝化层，其中，平台表面的至少部分没有第一钝化层，并且其中第一钝化层包括第一材料；和在第一钝化层上形成第二钝化层，其中，平台表面的至少部分没有第二钝化层，其中，第二钝化层包括不同于第一材料的第二材料。