垫高源/漏极区的半导体组件制造方法

摘要

一种半导体组件制造方法，在基板上形成垫高的源/漏极区域的半导体组件。此源/漏极区域的垫高部在后续的金属硅化制造工艺做为反应的原料，避免消耗源/漏极区中原本存在的硅。形成一垫高用硅材料层于基板上，置于待形成的半导体组件的源/漏极区。在垫高用硅材料层上依序形成栅极介电质层和栅极电极层，形成栅极结构。依序进行轻掺杂布植，形成边墙间隔物及进行重掺杂布植。此垫高用硅材料层，用做金属硅化反应的原料，进行自动对准金属硅化制造过程。

主权项

1.一种垫高源/漏极区的半导体元件制造方法，其特征是：包括下列步骤：形成一硅材料层于一基板上；形成一介电层于该硅材料层上；根据一光罩，对该介电层进行一光学微影蚀刻工艺，而暴露出部分该硅材料层；热氧化暴露的该硅材料层，而形成一热氧化层；以及去除该热氧化层和剩余的该介电层，用以形成用来形成一半导体元件的源/漏极区的一垫高硅材料层。