| 发明名称 | 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 | ||
| 摘要 | 一种在解理面上制作半导体纳米结构的方法，该方法包括如下制备步骤：步骤1：选择衬底材料，在该衬底上依次外延生长缓冲层、量子阱结构、盖帽层；步骤2：对生长的外延材料进行解理，获得含量子阱截面结构的解理面；步骤3：对含量子阱结构的解理面进行表面处理，以利于有序、定位半导体纳米结构的形成；步骤4：在经过处理的上述解理面上外延生长一层半导体纳米结构；步骤5：在上述半导体纳米结构上再重复生长半导体纳米结构，包括间隔层和盖帽层，所生长的半导体纳米结构作为光电子器件和电子器件的有源层。 | ||
| 申请公布号 | CN1725436A | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
| 申请号 | CN200410069295.4 | 申请日期 | 2004.07.20 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 陈涌海;张春玲;崔草香;徐波;金鹏;刘峰奇;王占国 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/34(2006.01);B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种在解理面上制作半导体纳米结构的方法，其特征在于，该方法包括如下制备步骤：步骤1：选择衬底材料，在该衬底上依次外延生长缓冲层、量子阱结构、盖帽层；步骤2：对生长的外延材料进行解理，获得含量子阱截面结构的解理面；步骤3：对含量子阱结构的解理面进行表面处理，以利于有序、定位半导体纳米结构的形成；步骤4：在经过处理的上述解理面上外延生长一层半导体纳米结构；步骤5：在上述半导体纳米结构上再重复生长半导体纳米结构，包括间隔层和盖帽层，所生长的半导体纳米结构作为光电子器件和电子器件的有源层。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||