发明名称 复合溅射靶和磷光体淀积的方法
摘要 本发明涉及一种用于厚膜介质电致发光显示装置的多元素薄膜磷光体的新颖的溅射靶和淀积方法,其中淀积的磷光体提供电视应用中所需要的高亮度和色彩。该方法包括在低压溅射气氛中溅射单一复合靶,该低压溅射气氛包括包含活性反应种类和非活性反应种类的气体。复合靶包括基质相和夹杂相,或两个基质相,其中所述相之一包括一种或多种构成磷光体复合物的金属元素,并且所述相中的另一个相包括构成磷光体复合物的其余元素。在该方法中,溅射气氛内的活性反应种类的压力发生改变,以便控制复合靶的基质相和夹杂相的溅射率,以便使所述两个相中元素的淀积率为磷光体膜在衬底上期望的淀积率。
申请公布号 CN1726299A 申请公布日期 2006.01.25
申请号 CN200380106253.7 申请日期 2003.12.04
申请人 伊菲雷技术公司 发明人 亚历山大·巴托谢夫维奇
分类号 C23C14/00(2006.01);C23C14/06(2006.01);C23C14/34(2006.01);H05B33/14(2006.01);C09K11/80(2006.01);C09K11/84(2006.01) 主分类号 C23C14/00(2006.01)
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 杨本良;顾红霞
主权项 1.在衬底上淀积多元素薄膜磷光体复合物的方法,该方法包括;—在低压溅射气氛中溅射具有两个组分相的单一复合靶,该低压溅射气氛包括包含有活性反应种类和非活性反应种类的气体,所述两个组分相包含构成磷光体复合物的金属和非金属材料;以及—改变所述溅射气氛中的所述活性反应种类的压力,以控制所述复合靶的所述两个组分相的溅射率,以便使所述两个组分相中的元素的淀积率为磷光体膜在所述衬底上期望的淀积率。
地址 加拿大艾伯塔省