高抗热震性高纯二氧化硅结构陶瓷的制备方法

摘要

本发明提供一种高抗热震性高纯二氧化硅陶瓷的制备方法。取90～95％、纯度≥99.5％SiO₂无机粉末与5～10％、纯度≥99.5％纳米SiO₂，配制成SiO₂级配料。取2～5％长链烯烃化合物、95～98％熔化石蜡液相，配制成活性油相。将12～18％SiO₂级配料，掺入82～88％活性油相内，控温85～100℃，搅拌1.5～2.5小时，制成半流体，再经热压铸机加工成蜡坯。取45～55％蜡坯，放入脱蜡炉内，炉内温度控制380～460℃时，掺入45～55％空心莫来石，恒温16～20小时完成脱蜡，经冷却25～35℃制成的半成品投入烧结炉内，炉温控制1280～1360℃，恒温1～2小时，再经冷却25～35℃，制成高抗热震性高纯SiO₂结构陶瓷。该方法节能降耗，生产效率高，成本低，产品质量稳定。

主权项

1、一种高抗热震性高纯SiO2结构陶瓷的制备方法，其特征在于：a、取重量90～95％、纯度≥99.5％的SiO2无机粉末与重量5～10％、纯度≥99.5％的纳米SiO2，经混匀配制成SiO2级配料，b、取重量2～5％的长链烯烃化合物，掺入重量95～98％的熔化石蜡液相内，经搅匀配制成活性油相，c、取重量12～18％的SiO2级配料，掺入重量82～88％的活性油相内，控温85～100℃，搅拌速度85～115转/分钟，连续搅拌1.5～2.5小时，即配制成半流体，再经热压铸机加工成蜡坯，d、以蜡坯温度控制25～40℃时，取重量45～55％的蜡坯，将其放入脱蜡炉内，使脱蜡炉内温度控制380～460℃时，再掺入重量45～55％的空心莫来石，经恒温16～20小时即完成脱蜡，然后再经冷却到25～35℃，制成半成品，e、将制成的半成品投入烧结炉内，使炉温控制为1280～1360℃，恒温1～2小时，再经冷却到25～35℃，即制成高抗热震性高纯SiO2结构陶瓷。