发明名称 改良型离子枪
摘要 本发明公开一种改良型离子枪,其应用于制造光学薄膜的离子辅助沉积制程中,包括有放电室、气源、激励器、栅极组件及屏蔽件,其中栅极组件包括有屏栅极、加速极及抑止极,屏栅极是属于阳极并靠近于被电离的离子,加速极是属于阴极并与屏栅极相互间隔,抑止极是属于接地极并位于加速极的上方,每一栅极的中心区域均具有弯曲表面,若干个穿孔设置于这些弯曲表面上并相互对齐,从而形成离子束的抽取通道,当将栅极组件组装于放电室上时,栅极组件的弯曲表面呈内凹状,而由该栅极组件引出的离子束的角度呈汇聚状,借此可得到品质稳定的光学薄膜,并提高其产能及生产良率。
申请公布号 CN1725424A 申请公布日期 2006.01.25
申请号 CN200410069596.7 申请日期 2004.07.23
申请人 亚洲光学股份有限公司 发明人 张陈益升
分类号 H01J27/02(2006.01);H01J27/14(2006.01);H01J37/08(2006.01);H01J33/02(2006.01);F03H1/00(2006.01) 主分类号 H01J27/02(2006.01)
代理机构 上海开祺知识产权代理有限公司 代理人 唐秀萍
主权项 1.一种改良型离子枪,其应用于制造光学薄膜的离子辅助沉积制程中,该离子枪包括有放电室、气源、激励器、屏蔽件及栅极组件,其中放电室是用来收容待电离的气体及气体电离后生成的电浆;气源可以向放电室提供待电离的气体;激励器可以产生高频电磁场用来使气体离子化并在放电室内生成电浆;屏蔽件位于放电室与激励器的外围;栅极组件是用于抽取并加速离子束,该栅极组件包括有屏栅极、加速极及抑止极,其中屏栅极是属于阳极并靠近于放电室内的电浆;加速极是属于阴极并与屏栅极相互间隔;抑止极是属于接地极并位于加速极的上方;这些栅极均具有弯曲表面,若干个穿孔设置于这些弯曲表面上并相互对齐,从而形成离子束的抽取通道,其特征在于:当将栅极组件组装于放电室上时,其每一栅极的弯曲表面均朝向放电室内凹,而由该栅极组件引出的离子束的角度呈汇聚状。
地址 台湾省台中潭子乡台中加工出口区南二路22-3号