用于非晶态硅和形成的薄膜的化学气相沉积法

摘要

以非常快的沉积率使非晶态硅薄膜层沉积在基质上，同时又使该薄膜保持质优的方法。确定了在工艺操作室内的等离子体容积。也确定了引入该室的混合气体的总流率。总流率是混合气体中各个气体的流率之和。其次，确定了包括等离子体容积和总流率的工艺参数。然后，在非晶态硅薄膜的沉积过程中，按照第一预定关系使工艺参数保持有预定值。

主权项

1.一种沉积非晶态硅薄膜的方法，包括以下步骤：确定工艺操作室中的等离子体容积；确定引入工艺操作室的混合气体的总流率，该混合气体包括含有前体的硅；其中总流率是混合气体中各个气体的流率之和；确定工艺参数，即等离子体容积与总流率之比；和在非晶态硅薄膜沉积过程中，按照预定关系使工艺参数保持预定值；其中在所述处理室中形成等离子体的步骤中，施加给电极的电流密度为0.2W/cm2-1W/cm2，以及在不存在薄片或基质的情况下，将非晶态硅薄膜预涂层沉积在等离子体沉积室的壁板上，然后再将薄片或基质放入等离子体沉积室中进行沉积。