| 发明名称 | 垂直磁记录介质 | ||
| 摘要 | 提供一种垂直磁记录介质，具有良好的热稳定性和高的记录密度。垂直磁记录介质至少包括第一和第二垂直磁记录层，和支撑第一和第二垂直磁记录层的基质。第一和第二垂直磁记录层具有不同的物理/磁特性，并由补偿不同物理/磁特性的材料形成。第一和第二垂直磁记录层选自以下各层：用于改进垂直磁性各向异性能(Ku)的层，用于降低晶粒大小的层、用于降低磁畴大小的层、用于增加SNR的层、用于改进信号输出的层、用于降低噪音的层、用于改进晶粒大小均匀性的层，和用于改进磁畴大小均匀性的层。 | ||
| 申请公布号 | CN1238840C | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
| 申请号 | CN03147266.4 | 申请日期 | 2003.07.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李丙圭;吴薰翔;李炅珍 |
| 分类号 | G11B5/66(2006.01) | 主分类号 | G11B5/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 范明娥;巫肖南 |
| 主权项 | 1.一种垂直磁记录介质包括：至少第一和第二垂直磁记录层，和支撑第一和第二垂直磁记录层的基质，其中第一和第二垂直磁记录层具有晶体结构并且第一垂直磁记录层具有比第二垂直磁记录层小的晶体颗粒和低的垂直磁各向异性能Ku。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||