| 发明名称 | 硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术 | ||
| 摘要 | 一种硅单晶衬底上生长III族氮化物半导体单晶材料的新技术，该技术在外延生长III族氮化物半导体材料前须先生长两层缓冲层和一渐变层，缓冲层2是SiO<SUB>2</SUB>薄膜，缓冲层3为AlN薄膜；渐变层4为高温生长的偏离化学计量比的富GaGaN。双缓冲层和渐变层结构将减少硅单晶衬底和III族氮化物半导体材料因热膨胀系数相差太大造成III族氮化物半导体单晶材料的龟裂，和因晶格失配而产生的高缺陷密度；从而提高III族氮化物半导体材料的晶体质量，改善外延III族氮化物半导体材料的光电特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1725445A | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
| 申请号 | CN200410054828.1 | 申请日期 | 2004.07.23 |
| 申请人 | 深圳大学 | 发明人 | 冯玉春;郭宝平;牛憨笨;李忠辉 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1.硅单晶衬底上外延生长III族氮化物半导体单晶材料的新方法，其特征是III族氮化物半导体材料5与硅衬底1间有SiO2缓冲层2和AlN缓冲层3以及GaN组份渐变层4。 | ||
| 地址 | 518060广东省深圳市南山区南油路2336号 | ||