| 发明名称 | 薄膜晶体管和采用该薄膜晶体管的平板显示器 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管和采用该薄膜晶体管的平板显示器，包括栅极，源极和漏极，有机半导体层和栅极绝缘层。第一电容是位于有机半导体层、电极和栅极绝缘层彼此接触的第一点的电容，第二电容是位于有机半导体层与栅极绝缘层相接触的第二点的电容，第三电容是位于电极与栅极绝缘层相接触的第三点的电容，第四电容是一位于有机半导体层与电极相接触的第四点的电容。第一电容比第二电容、第三电容和第四电容中的一个大。 | ||
| 申请公布号 | CN1725522A | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
| 申请号 | CN200510092218.5 | 申请日期 | 2005.05.24 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 具在本;徐旼彻;牟然坤 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01);H01L51/40(2006.01) | 主分类号 | H01L51/05(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 温宏艳;王景朝 |
| 主权项 | 1.一种薄膜晶体管，包括：栅极；源极和漏极；与栅极绝缘并与源极和漏极相接触的有机半导体层；和将源极和漏极与栅极绝缘的栅极绝缘层，其中第一电容是位于有机半导体层、电极和栅极绝缘层彼此接触的第一点的电容，第二电容是位于有机半导体层与栅极绝缘层相接触的第二点的电容，第三电容是位于电极与栅极绝缘层相接触的第三点的电容，第四电容是位于有机半导体层与电极相接触的第四点的电容，而其中第一电容比第二电容、第三电容和第四电容中的一个大。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||