| 发明名称 | 薄膜制造用剥离膜及其制造方法及电子部件用薄膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及的薄膜制造用剥离膜的制造方法是，在基底膜(2)上涂布含有机硅树脂的涂布液(3a)之后，使该涂布液(3a)干燥，在上述基底膜上形成上述有机硅树脂的剥离层(3)，然后将该已形成了剥离层(3)的基底膜(2)卷绕成卷筒状，制得用于制造电子部件用薄膜的剥离膜(1)的方法，基底膜(2)的厚度在5μm以上30μm不到时，一边对上述已形成了剥离层的基底膜(2)施加对应于每100mm的宽度3牛顿以上17牛顿以下的张力，一边卷绕该基底膜(2)，这样能够防止卷绕散开及基底膜(2)的拉长，同时能够确保剥离层(3)的表面的平整性。 | ||
| 申请公布号 | CN1238170C | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
| 申请号 | CN02804825.3 | 申请日期 | 2002.02.13 |
| 申请人 | TDK股份有限公司 | 发明人 | 饭田修治;宫原裕之;川崎薰 |
| 分类号 | B28B1/30(2006.01);B32B27/36(2006.01);C08J7/04(2006.01);B05D7/04(2006.01) | 主分类号 | B28B1/30(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 胡烨 |
| 主权项 | 1.薄膜制造用剥离膜的制造方法，它是在基底膜上涂布含有机硅树脂的涂布液之后，使该涂布液干燥，在上述基底膜上形成上述有机硅树脂的剥离层，将该已形成了剥离层的基底膜卷绕成卷筒状，制得用于制造电子部件用薄膜的剥离膜的方法，其特征在于，上述基底膜的厚度在5μm以上30μm不到时，一边对上述已形成了剥离层的基底膜施加对应于每100mm的宽度的3牛顿以上17牛顿以下的张力，一边卷绕该基底膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||