发明名称 |
具有自对准交迭光电二极管的图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
一种图像感测器件包括形成于衬底上的栅极介质层和形成于栅极介质层上的转移栅极。在所述转移栅极上形成掩模层,该掩模层的宽度小于所述转移栅极的宽度,从而所述转移栅极的一部分横向地从所述掩模层下方突出。光电二极管形成于所述衬底中,所述光电二极管与所述掩模层自对准且在所述转移栅极下方横向延伸,即,与转移栅极交迭。由于光电二极管和转移栅极之间交迭,消除了光电二极管和转移栅极之间的偏移,从而消除了图像延迟现象。 |
申请公布号 |
CN1725503A |
申请公布日期 |
2006.01.25 |
申请号 |
CN200510081001.4 |
申请日期 |
2005.06.27 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
朴永薰 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01);H04N5/335(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种器件,其包括:栅极介质层,形成于衬底上;转移栅极,形成于所述栅极介质层上;掩模层形成于所述转移栅极上,该掩模层的宽度小于所述转移栅极的宽度,从而所述转移栅极的一部分横向地从所述掩模层下方突出;以及光电二极管,形成于所述衬底中,所述光电二极管与所述掩模层自对准且在所述转移栅极下方横向延伸。 |
地址 |
韩国京畿道 |