| 发明名称 | 半导体装置、非易失性存储单元与其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置、非易失性存储单元与其操作方法，其为半导体装置与非易失性存储装置提供利用压电弹道电荷注入机制的方法与装置。该装置包括一应变源，一注入过滤器，一第一导电区域，一第二导电区域，以及一第三导电区域。该应变源允许弹道电子传输中的压电效应，使得元件操作中可以产生压电弹道电荷注入机制。该过滤器允许具第一极性的电荷载子能由该第一导电区域，经过该注入过滤器与该第二导电区域到达该第三导电区域，但却阻挡具相反极性的电荷载子由该第二导电区域传输至该第一导电区域。本发明更提供一种能带工程学方法，以允许该装置的操作不受干扰、介电质击穿、撞击游离，以及RC效应的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN1725488A | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
| 申请号 | CN200510080425.9 | 申请日期 | 2005.07.01 |
| 申请人 | 王知行 | 发明人 | 王知行 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8247(2006.01);G11C11/34(2006.01);G11C16/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，包括：一第一导电区域；一第二导电区域，其与该第一导电区域相邻且相绝缘；一第三导电区域，其与该第二导电区域相邻且相绝缘；以及一应变源，用以提供一机械应力至该第一与第二导电区域至少其中之一。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||