非易失半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失半导体存储装置及其制造方法。本发明的目的在于：对于将电荷离散地积累在叠层绝缘膜内的非易失半导体存储装置，即使被紫外线照射，也能够在不使成本增加的情况下，进行阈值电压的控制。非易失半导体存储装置，具有：在衬底1上形成的由离散地积累电荷的叠层绝缘膜2B构成的栅极绝缘膜、栅极电极3A及在衬底1的表面层中形成的夹着栅极电极3A的作为源极或者漏极发挥作用的一对扩散区域4。在栅极绝缘膜中的区域，并且是在栅极电极3A中的与一对扩散区域4对着的端部、和一对扩散区域4之间存在的区域中的至少一个区域中，存在有将紫外线照射到栅极电极3A而产生的电荷积累起来的固定电荷积累区域；在一对扩散区域4中的存在于固定电荷积累区域下侧的至少一个扩散区域4，被设置成在相对于衬底面垂直的方向上，与固定电荷积累区域重叠且超出该固定电荷积累区域的样子。

主权项

1、一种非易失半导体存储装置，具有：由在衬底上形成的离散地积累电荷的叠层绝缘膜构成的栅极绝缘膜、在上述栅极绝缘膜上形成的栅极电极、在上述衬底的表面层中形成的夹着上述栅极电极的作为源极或者漏极作用的一对扩散区域及存在于上述一对扩散区域之间的沟道区域，其特征在于：在上述栅极绝缘膜中的区域，并且是在上述栅极电极的与上述一对扩散区域对着的端部、和上述一对扩散区域之间存在的区域中的至少一个区域中，存在有将紫外线照射到上述栅极电极而产生的电荷积累起来的固定电荷积累区域；上述一对扩散区域中的存在于上述固定电荷积累区域下侧的至少一个扩散区域，被设置成在平面布置中，与上述固定电荷积累区域重叠且在朝着上述沟道区域的中央部分的方向上超出上述固定电荷积累区域的样子。