| 发明名称 | 半导体基板上触点的形成 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造在半导体基板上有一个或多个导电触点的辐射检测器的方法，其中包括一些步骤：在所述半导体基板的第一表面上形成第一导电层；在形成第二导电层，从而形成导电材料的多个邻接层，所述多个邻接层中包含所述第一导电层；有选择地将所述多个邻接层的一些部分除去以形成所述导电触点，所述导电触点在半导体基板上界定一个或多个辐射检测单元。 | ||
| 申请公布号 | CN1726598A | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
| 申请号 | CN200380106563.9 | 申请日期 | 2003.10.23 |
| 申请人 | 金色力量有限公司 | 发明人 | K·普哈卡;I·本森 |
| 分类号 | H01L31/00(2006.01);H04N3/00(2006.01);H01L21/00(2006.01);H04N3/15(2006.01) | 主分类号 | H01L31/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;梁永 |
| 主权项 | 1.一种制造在半导体基板上有一个或多个导电触点的辐射检测器的方法，所述方法包括以下步骤：在所述半导体基板的第一表面上设置第一导电层；设置第二导电层以形成多个相邻的导电材料层，所述多个相邻的导电材料层包括所述第一导电层；以及有选择地除去所述多个相邻的导电材料层的一些部分以形成所述导电触点，所述导电触点在半导体基板上形成一个或多个辐射检测单元。 | ||
| 地址 | 英属维尔京群岛托托拉 | ||