发明名称 高压气体容器的处理方法及充填于其中的气体充填物
摘要 本发明涉及高压气体容器的处理方法,具体地说,涉及内表面表层部分的Si含量在一定量以下的高压气体容器的处理方法和充填在该高压气体容器中的含卤素的气体充填物。本发明的目的在于提供用磨料实施内表面处理的充填卤素系气体用的金属容器、并且充填气体后不因水分和内表面吸附气体以外的杂质随时间推移增加而引起的纯度降低的容器以及高纯度的卤素系气体。其技术方案是,使得用磨料实施内表面处理的气体容器内表面的X射线光电子能谱中的Si2s峰的峰面积除以Fe2p<SUB>3/2</SUB>峰的峰面积的值在0.3以下,以改善内表面处理方法。
申请公布号 CN1238160C 申请公布日期 2006.01.25
申请号 CN03149799.3 申请日期 2003.08.05
申请人 三井化学株式会社 发明人 吉川明男;金山重夫;原田功
分类号 B24B1/00(2006.01) 主分类号 B24B1/00(2006.01)
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 代理人 徐川
主权项 1.一种高压气体容器的处理方法,其特征在于,在该方法中,将接受利用水压进行耐压试验后的主要由铁构成的高压气体容器的内表面平均研磨5~100μm的厚度,并且由X射线光电子能谱法测定的能谱中的Si2s峰的峰面积除以Fe2p3/2峰的峰面积的比值在0.3以下。
地址 日本东京都