| 发明名称 | 制造半导体器件的方法和由此方法制造的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件和制造此器件的方法。所述方法包括：在衬底上沉积包含非晶硅的硅层；通过对所述硅层在H<SUB>2</SUB>O的气氛和预定的温度下使用退火工艺，部分结晶所述非晶硅；通过对部分结晶的非晶硅层使用激光退火工艺，形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；和在栅极绝缘层上形成栅极电极，以使当非晶硅通过SPC工艺结晶时，防止由高温结晶引起的衬底弯曲，由此减少薄膜晶体管的缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN1725440A | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
| 申请号 | CN200510063824.4 | 申请日期 | 2005.04.08 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 雷米什·卡卡德 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);G02F1/135(2006.01);G09G3/36(2006.01);G09G3/38(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上沉积包含非晶硅的硅层；通过对所述硅层在H2O的气氛和预定的温度下使用退火工艺，部分结晶非晶硅层；通过对所述部分结晶的非晶硅层使用激光退火工艺，形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；和在所述栅极绝缘层上形成栅极电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||