| 发明名称 | 沟槽－栅极半导体器件的制造 | ||
| 摘要 | 一种沟槽－栅极半导体器件(1)的制造方法，该方法包括：在器件的有源晶体管单元区的半导体主体(10)中形成沟槽(20)，沟槽(20)每个都具有沟槽底部和沟槽侧壁，且在沟槽中提供了氧化硅栅绝缘(21)，使得在沟槽底部处的栅绝缘(33)比沟槽侧壁处的栅绝缘(21)厚，目的是减小器件的栅极－漏极的电容量。该方法包括在形成沟槽(20)之后的步骤：(a)在沟槽底部和沟槽侧壁形成氧化硅层(21)；(b)邻接沟槽底部和沟槽侧壁淀积了掺杂的多晶硅层(31)；(c)在邻接沟槽侧壁的掺杂的多晶硅(21)上形成氮化硅间隔物(32)，在沟槽底部留下暴露出的掺杂的多晶硅；(d)热氧化暴露出的掺杂的多晶硅，以在沟槽底部生长所述较厚的栅绝缘(33)；(e)去除氮化硅间隔物(32)；以及(f)在沟槽内淀积栅导电材料(34)，以形成器件的栅电极。在沟槽底部处较厚的二氧化硅绝缘(33)最后的厚度由步骤(b)中淀积的掺杂的多晶硅层(31)的厚度很好地控制。而且掺杂的(优选大于5e19cm－3)多晶硅在低温(优选700－800℃)下快速被氧化，减小了在该阶段注入扩散(例如，p主体)存在于器件中的危险性。 | ||
| 申请公布号 | CN1726587A | 申请公布日期 | 2006.01.25 |
| 申请号 | CN200380106083.2 | 申请日期 | 2003.12.08 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | M·A·A·因特赞德特;E·A·希岑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种沟槽-栅极硅半导体器件(1)的制造方法，该方法包括在器件的有源晶体管单元区中的半导体主体(10)中形成沟槽(20)，沟槽(20)每个都具有沟槽底部和沟槽侧壁，且在沟槽中提供氧化硅栅绝缘(21A、21B)，使得在沟槽底部处的栅绝缘(21B、33)比沟槽侧壁处的栅绝缘(21A、21)更厚，其中在形成沟槽(20)之后，该方法包括步骤：(a)在沟槽底部和沟槽侧壁处形成氧化硅层(21)；(b)邻接沟槽底部和沟槽侧壁淀积一层掺杂的多晶硅(31)；(c)在邻接沟槽侧壁的掺杂多晶硅(21)上形成氮化硅间隔物(32)，在沟槽底部留下暴露出的掺杂多晶硅；(d)热氧化暴露出的掺杂多晶硅，以在沟槽底部生长所述较厚的栅绝缘(33)；(e)去除氮化硅间隔物(32)；以及(f)在沟槽内提供栅导电材料(34)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||