发明名称 半导体蚀刻装置
摘要 半导体蚀刻装置包括静电卡盘,边缘环以及间隔物。静电卡盘包括环安装部分。边缘环具有外面部分和内部部分。外面部分具有大于环安装部分的高度的厚度,放置内部部分以接近环安装部分的竖直面。内部部分的上表面和下表面按照自外面部分的上下表面相同高度分别向上和向下分级。间隔物具有环形,并配置在环安装部分的水平面上,支撑边缘环构件的内部部分,并具有与边缘环构件的外面部分的下表面和内部部分的上表面之间高度相同的厚度。
申请公布号 CN1725451A 申请公布日期 2006.01.25
申请号 CN200510084875.5 申请日期 2005.07.19
申请人 三星电子株式会社 发明人 崔成锡;朴珍俊
分类号 H01L21/3065(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 林宇清;谢丽娜
主权项 1.一种半导体蚀刻装置,包括:处理室内的静电卡盘,按固定距离向下凹陷固定深度以形成下台阶环安装部分的静电卡盘的顶部的周围区域;在一个本体中具有外面部分和内部部分的边缘环构件,外面部分具有大于静电卡盘的环安装部分的竖直面的高度的厚度,内部部分从外面部分的内径表面向内凸出以便接近环安装部分的竖直面,内部部分的上表面和下表面按照自外面部分的内径上下表面相同高度分别向上和向下分级;以及具有环形并配置在静电卡盘的环安装部分的水平面上的间隔物构件,间隔物构件适合于支撑边缘环构件的内部部分的下表面,并具有与边缘环构件的外面部分的下表面和内部部分的上表面之间高度相同的厚度。
地址 韩国京畿道