发明名称 |
光刻装置和器件制造方法 |
摘要 |
一种光刻装置和方法,其中照射系统提供辐射投射光束,构图系统赋予该光束带图案的横截面,投影系统将带图案的光束投射到基底台上支撑的基底的目标部分上。该投影系统包括与基底分开设置的透镜阵列,因此该透镜阵列中的每个透镜都将带图案的光束的各个部分聚焦在基底上。位移系统引起透镜阵列和基底之间的相对位移。设置粒子检测器来检测由于透镜阵列和基底之间的相对位移而接近透镜阵列的位于基底上的粒子。设置自由工作距离控制系统,以便根据粒子检测器对粒子的检测来增大透镜阵列和基底之间的间隔,从而当相对位移使检测到的粒子在透镜阵列下面通过时移动透镜阵列远离该基底。这样,能够避免因例如基底表面上所承载的粒子的刮擦而对透镜阵列的损坏。 |
申请公布号 |
CN1725109A |
申请公布日期 |
2006.01.25 |
申请号 |
CN200510081066.9 |
申请日期 |
2005.06.29 |
申请人 |
ASML荷兰有限公司 |
发明人 |
P·W·H·德加格;桂成群;P·斯皮特;E·霍贝里奇特斯 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
肖春京 |
主权项 |
1.一种光刻装置,包括:照射系统,其提供辐射投射光束;构图系统,对光束进行构图;投影系统,其将带图案的光束投射到基底的目标部分上,该投影系统包括与基底分隔开的透镜阵列,使得该透镜阵列中的每个透镜都将带图案的光束的相应部分聚焦在基底上;位移系统,引起透镜阵列和基底之间的相对位移,以增大透镜阵列和基底之间的间隔;粒子检测器,其检测由于透镜阵列和基底之间的相对位移而接近透镜阵列的位于基底上的粒子;以及自由工作距离控制系统,根据粒子检测器对粒子的检测来增大透镜阵列和基底之间的间隔,使得当相对位移使检测到的粒子在透镜阵列下面通过时远离该基底移动透镜阵列。 |
地址 |
荷兰维尔德霍芬 |