发明名称 GAN-BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20060007093(A) 申请公布日期 2006.01.24
申请号 KR20040055820 申请日期 2004.07.19
申请人 KIM, SEONG JIN 发明人 KIM, SEONG JIN
分类号 H01L21/86;H01L29/86 主分类号 H01L21/86
代理机构 代理人
主权项
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