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经营范围
发明名称
GAN-BASED HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要
申请公布号
KR20060007093(A)
申请公布日期
2006.01.24
申请号
KR20040055820
申请日期
2004.07.19
申请人
KIM, SEONG JIN
发明人
KIM, SEONG JIN
分类号
H01L21/86;H01L29/86
主分类号
H01L21/86
代理机构
代理人
主权项
地址
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