| 主权项 |
1.一种半导体电路,其包含: 至少一个产生器熔丝(FG),用以设定一供应电压; 至少一个备用熔丝(FR),用以活化一备用元件;以及 一第一读取装置(ER),用以读取该备用熔丝(FR),其中 该第一读取装置(ER)系以一种与该产生器熔丝(FG) 时间偏移有关的方式而读取该备用熔丝(FR)。 2.如申请专利范围第1项的半导体电路,其中该第一 读取装置(ER)包括一种熔丝锁定电路(LR),其具一种 与该备用熔丝(FR)串联连接的读取电晶体(Tr9),以读 取该备用熔丝(FR)的状态,该读取装置(ER)系藉由该 读取电晶体(Tr9)的闸电压之控制而决定该备用熔 丝(FR)的读取瞬时。 3.如申请专利范围第1或2项的半导体电路,更包含: 一第一比较器(KR),用以在该半导体电路之起始化 阶段期间决定该备用熔丝(FR)的读取瞬时,其中于 该读取瞬时时,该供应电压(Vint)系已完全或几乎完 全累积,且该备用熔丝(FR)的读取操作系于该读取 瞬时开始。 4.如申请专利范围第3项的半导体电路,更包含: 一第二读取装置(EG),用以读取该产生器熔丝(FG),其 具一第二比较器(KG),用以根据该供应电压(Vint)而 决定该产生器熔丝(FG)的读取瞬时, 其中该第一比较器(KR)的切换阀値比该第二比较器 (KG)高。 5.如申请专利范围第4项的半导体电路,其中该第二 读取装置(EG)具一种关于该读取装置(ER)的最适化 尺寸,以确保该产生器熔丝(FG)在该半导体电路起 始化阶段期间的不稳定操作条件下之可靠读取。 6.一种用以读取半导体电路的熔丝之方法,其中该 半导体电路包含至少一个产生器熔丝(FG)与至少一 备用熔丝(FR),该产生器熔丝(FG)系用以设定一种供 应电压,而该备用熔丝(FR)系用以活化该半导体电 路的备用元件,且在该半导体电路的起始化阶段, 该半导体电路的供应电压(Vint)系自一较低値累积 至一较高电压値(V0、Vmax),其特征在于该方法包含 下列步骤: a)在该起始化阶段的第一瞬时(t1)读取该产生器熔 丝(FG),此时该供应电压(Vint)已达到第一电压値(V1); 及 b)在该起始化阶段的第二瞬时(t2),读取该备用保险 线路(FR)的读取,此时该供应电压(Vint)已达到第二 电压値(V2)。 7.如申请专利范围第6项的方法,其中该供应电压( Vint)在该第一瞬时(t1)的变化率较在该第二瞬时(t2) 为大。 8.如申请专利范围第6或7项的方法,其中在该第二 瞬时(t2)时,该供应电压(Vint)已完全或几乎完全累 积。 9.如申请专利范围第6或7项的方法,其系藉由一读 取电晶体(Tr)的辅助而读取该备用熔丝(FR),其中在 读取该备用熔丝(FR)前,即增加该熔丝锁定电路(LR) 的切换阀値。 10.如申请专利范围第9项的方法,其中该熔丝锁定 电路(LR)的切换阀値是藉由改变与该备用熔丝(FR) 串联连接的一读取电晶体(Tr9)的闸电压而增加。 图式简单说明: 第1图显示一种用以读取具比较器、脉冲成形电路 及读取电路之熔丝的读取装置。 第2图显示用以读取产生器熔丝及备用熔丝之读取 装置。 第3a图显示一种用以读取产生器熔丝之比较器。 第3b图显示一种用以读取备用熔丝之比较器。 第4图显示用于读出熔丝的读取电路。 第5图显示习知读取装置的读出操作时序图。 第6a、b图显示根据本发明读取装置的读取操作的 二个时序图。 |
