发明名称 画像显示装置之制造方法及画像显示装置之制造装置
摘要 本发明系提供一种画像显示装置之制造装置,系具备有:可收纳前面基板及背面基板之至少一方的处理对象基板(33)之真空室(30);真空排气真空室(30)的内部之排气机构(32);在真空室(30)内与处理对象基板(33)相对向配置的处理电极(34);对处理对象基板(33)赋予导电性之导电化处理机构(40);以及藉由导电化处理机构(40)在赋予导电性之处理对象基板(33)与处理电极(34)之间施加电场之电场施加机构(35)。
申请公布号 TWI248103 申请公布日期 2006.01.21
申请号 TW093135479 申请日期 2004.11.18
申请人 东芝股份有限公司 发明人 小副川政邦;桑原雄二
分类号 H01J1/88 主分类号 H01J1/88
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种画像显示装置之制造方法,系具备有:具有画 像显示面的前面基板、及具有朝向上述画像显示 面放出电子的电子放出元件之背面基板,其特征在 于, 在真空环境中对上述前面基板及上述背面基板的 至少一方之处理对象基板赋予导电性之导电化处 理步骤; 使具有导电性之上述处理对象基板的主面与处理 电极相对向配置,在上述处理对象基板与上述处理 电极之间施加电场之电场处理步骤;以及 在上述电场处理步骤之后,在真空环境中相对向配 置上述前面基板及上述背面基板之状态下彼此密 封之密封步骤。 2.如申请专利范围第1项的画像显示装置之制造方 法,其中,在上述导电化处理步骤中于上述处理对 象基板的主面形成导电膜。 3.如申请专利范围第2项的画像显示装置之制造方 法,其中,在上述导电化处理步骤中于真空环境中 蒸发与上述处理对象基板的主面相对向配置的导 电膜材料,形成上述导电膜。 4.如申请专利范围第1项的画像显示装置之制造方 法,其中,在上述导电化处理步骤中,于上述处理对 象基板的主面形成吸附膜。 5.如申请专利范围第4项的画像显示装置之制造方 法,其中,在上述导电化处理步骤中,于真空环境中 蒸发与上述处理对象基板的主面相对向配置的吸 附膜材料,形成上述吸附膜。 6.一种画像显示装置之制造方法,系具备有:具有画 像显示面的前面基板、及具有朝向上述画像显示 面放出电子的电子放出元件之背面基板,其特征在 于, 在真空环境中于上述前面基板的主面形成具有导 电性之薄膜的导电性薄膜形成步骤; 相对向配置形成于上述前面基板的主面之导电性 薄膜与处理电极,在上述前面基板与上述处理电极 之间施加电场之电场处理步骤;以及 在上述电场处理步骤后,在真空环境中相对向配置 上述前面基板及上述背面基板之状态下彼此密封 之密封步骤。 7.一种画像显示装置之制造方法,系具备有:具有画 像显示面的前面基板、及具有朝向上述画像显示 面放出电子的电子放出元件之背面基板,其特征在 于, 在真空环境中于上述前面基板的主面形成导电膜 之导电膜形成步骤; 在真空环境中,于上述前面基板的主面形成导电膜 之吸附膜形成步骤; 相对向配置形成于上述前面基板的主面之吸附膜 与处理电极,在上述前面基板与上述处理电极施加 电场之电场处理步骤;以及 在上述电场处理步骤之后,在真空环境中相对向配 置上述前面基板及上述背面基板之状态下彼此密 封之密封步骤。 8.一种画像显示装置之制造方法,系具备有:具有画 像显示面的前面基板、及具有朝向上述画像显示 面放出电子的电子放出元件之背面基板,其特征在 于, 在真空环境中于上述前面基板的主面形成导电膜 之导电膜形成步骤; 相对向配置形成于上述前面基板的主面之导电膜 与处理电极,在上述前面基板与上述处理电极之间 施加电场之电场处理步骤; 在上述电场处理步骤后,于真空环境中于上前面基 板的导电膜上形成吸附膜之吸附膜形成步骤;以及 在上述吸附膜形成步骤之后,于真空环境中相对向 配置上述前面基板及上述背面基板之状态下彼此 密封之密封步骤。 9.一种画像显示装置之制造方法,系具备有:具有画 像显示面的前面基板、及具有朝向上述画像显示 面放出电子的电子放出元件之背面基板,其特征在 于, 在真空环境中于上述前面基板的主面形成导电膜 之导电膜形成步骤; 相对向配置形成于上述前面基板的主面之导电膜 与处理电极,在上述前面基板与上述处理电极之间 施加电场之第1电场处理步骤; 在上述第1电场处理步骤后,于真空环境中在上述 前面基板的导电膜上形成吸附膜之吸附膜形成步 骤; 相对向配置形成于上述前面基板的主面之吸附膜 与上述处理电极,在上述前面基板与上述处理电极 之间施加电场之第2电场处理步骤;以及 在上述第2电场处理步骤后,于真空环境中相对向 配置上述前面基板及上述背面基板之状态下彼此 密封之密封步骤。 10.如申请专利范围第6至9项中任一项的画像显示 装置之制造方法,其中,在上述导电膜形成步骤之 前,追加相对向配置上述前面基板的主面与上述处 理电极,且在上述前面基板的主面与上述处理电极 之间施加电场之电场处理步骤。 11.如申请专利范围第6至9项中任一项的画像显示 装置之制造方法,其中,在上述密封步骤之前,追加 相对向配置上述前面基板的主面与上述处理电极, 且在上述背面基板与上述处理电极之间施加电场 之电场处理步骤。 12.一种画像显示装置之制造装置,系具备有:具有 画像显示面的前面基板、及具有朝向上述画像显 示面放出电子的电子放出元件之背面基板,其特征 在于具备有: 可收纳上述前面基板及上述背面基板之至少一方 的处理对象基板之真空室; 真空排气上述真空室的内部之排气机构; 在上述真空室内与上述处理对象基板相对向配置 的处理电极; 对上述处理对象基板赋予导电性之导电化处理机 构;以及 藉由上述导电化处理机构在赋予导电性之上述处 理对象基板与上述处理电极之间施加电场之电场 施加机构。 13.如申请专利范围第12项的画像显示装置之制造 装置,其中,上述导电化处理机构系具备有在上述 处理对象基板之主面形成导电膜之导电膜形成装 置。 14.如申请专利范围第12或13项的画像显示装置之制 造装置,其中,上述导电化处理机构系具备有在上 述处理对象基板的主面形成吸附膜之吸附膜形成 装置。 图式简单说明: 第1图系概略显示本发明之实施形态的制造方法及 制造装置所制造的FED之一例的斜视图。 第2图系概略显示沿着第1图所示的FED之A-A线的剖 面构造图。 第3图系概略显示本发明一实施形态的画像显示装 置的制造装置之剖面图。 第4图系概略显示本发明一实施形态的其他画像显 示装置之制造装置之剖面图。 第5图系概略显示本发明之实施形态的画像显示装 置之第1制造方法之流程图。 第6图系概略显示本发明之实施形态的画像显示装 置之第2制造方法之流程图。 第7图系概略显示本发明之实施形态的画像显示装 置之第3制造方法之流程图。 第8图系概略显示本发明之实施形态的画像显示装 置之第4制造方法之流程图。 第9图系概略显示本发明之实施形态的画像显示装 置之第5制造方法之流程图。
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