发明名称 可调式液晶积体光学元件
摘要 本发明系有关于一种可调式液晶积体光学元件,可应用于滤波器、耦合器以及光补/取多工器,其主要系液晶层作为主动覆层,并于该液晶层布设呈脊状延伸穿越之具光栅之第一波导元件与一第二波导元件,一用以与该基板相配合上下夹住该液晶层之隔离层,及两个用以连接电源以产生电压之电极层,藉由外加电压控制液晶晶体轴向,使波导之等效折射率随调变电场而变化,俾达到简化结构、容易制造,降低成本及可积体化之目的者。
申请公布号 TWI247928 申请公布日期 2006.01.21
申请号 TW093103136 申请日期 2004.02.11
申请人 国立虎尾科技大学 发明人 庄为群;徐瑞芳;梁晓苹;杨锡杭
分类号 G02F1/01;G02F1/13 主分类号 G02F1/01
代理机构 代理人 林基源 台中市北区青岛一街37号之2
主权项 1.一种可调式液晶积体光学元件,可应用于滤波器 耦合器以及光补/取多工器,其系包:含有: 一基板; 一用以调变作为主动覆层的液晶层; 一波导元件组,包含有第一波导元件与一第二波导 元件,该第一波导元件具有光栅,且该第一波导元 件与该第二波导元件呈脊状延伸穿越该液晶层; 一隔离层,用以与该基板相配合上下夹住该液晶层 ;及 两个用以连接电源以产生电压之电极层,主要分别 设置该液晶层外作为夹层或是该隔离层与该基板 外作为夹层。 2.如申请专利范围第1项所述之可调式液晶积体光 学元件,其中,该第二波导元件具有光栅。 3.如申请专利范围第1项所述之可调式液晶积体光 学元件,其中,该两个用以连接电源以产生电压之 电极层,其一电极层设在基板底面,另一电极层设 在该隔离层顶面。 4.如申请专利范围第1项所述之可调式液晶积体光 学元件,其中,该隔离层外侧设有隔离子(spacer)。 5.如申请专利范围第1项所述之可调式液晶积体光 学元件,其中,该基板可为半导体。 6.如申请专利范围第1项所述之可调式液晶积体光 学元件,其中,该基板可为金属。 7.如申请专利范围第1项所述之可调式液晶积体光 学元件,其中,该基板可为无机晶体。 8.如申请专利范围第1项所述之可调式液晶积体光 学元件,其中,该基板可为石英。 9.如申请专利范围第1项所述之可调式液晶积体光 学元件,其中,该基板可为玻璃。 10.如申请专利范围第1项所述之可调式液晶积体光 学元件,其中,该基板可为高分子材料(polymer)制成 。 11.如申请专利范围第1项所述之可调式液晶积体光 学元件,其中,该第一、第二波导元件可为半导体 制成。 12.如申请专利范围第1项所述之可调式液晶积体光 学元件,其中,该第一、第二波导元件可为金属制 成。 13.如申请专利范围第1项所述之可调式液晶积体光 学元件,其中,该第一、第二波导元件可为无机晶 体制成。 14.如申请专利范围第1项所述之可调式液晶积体光 学元件,其中,该第一、第二波导元件可为介电质 制成。 15.如申请专利范围第1项所述之可调式液晶积体光 学元件,其中,该第一、第二波导元件可为高分子 材料(polymer)制成。 16.如申请专利范围第1项所述之可调式积体光学元 件,其中,该电极层为可形成电极之材料制成。 17.如申请专利范围第16项所述之可调式积体光学 元件,其中,该电极层由氧化铟锡透明电极(ITO)玻璃 制成。 18.如申请专利范围第1项所述之可调式积体光学元 件,其中,该隔离层可由半导体制成。 19.如申请专利范围第1项所述之可调式积体光学元 件,其中,该隔离层可由无机晶体制成。 20.如申请专利范围第1项所述之可调式积体光学元 件,其中,该隔离层可由介电质制成。 21.如申请专利范围第1项所述之可调式积体光学元 件,其中,该隔离层可由高分子材料(polymer)制成。 22.如申请专利范围第1项所述之可调式积体光学元 件,其中,该基板之厚度为15m,折射率(Refractive index)是1.49;该第一波导元件之厚度为4m,宽度为3 m,折射率(Refractive index)为1.51,调频(Index modulation) 为5.510-3;该第二波导元件之厚度为4m,宽度为5 m,折射率(Refractive index)为1.52;该隔离层之厚度为10 m,折射率为1.3。 图式简单说明: 第一图系本发明结构截面示图。 第二图系本发明实施例结构分解断面示意图。 第三图系本发明实施例之模态示意图。 第四图系本发明折射率椭球示意图。 第五图系本发明实施例操作及参数示意图。 第六图系本发明实施例液晶折射率为1.485所测得 之频谱图。
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