| 主权项 |
1.一种制造蚀刻抗性影像之方法,其包含: (a)在基材上涂覆及乾燥感光组合物,此感光组合物 包含 (i)至少一种不水溶性酸可分解聚合物,其对约193奈 米波长之紫外线辐射为实质上透明的,其中该聚合 物以在涂覆于基材上及乾燥时足以形成组合物成 份之均匀膜之量存在于感光组合物中; (ii)至少一种在对约193奈米波长之足够活化能量曝 光时可产生酸之感光化合物,该感光化合物以足以 使感光组合物实质上均匀地感光之量存在; (b)以成像方式使感光组合物对约193奈米波长之足 够活化能量曝光,以造成感光化合物产生足够之酸 而在感光组合物之成像方式曝光区域中分解聚合 物; (c)将感光组合物显影因而去除感光组合物之曝光 非影像区域且留下未曝光影像区域; (d)以充份之电子束辐射照射感光组合物之影像区 域因而增加影像区域中之感光组合物对蚀刻剂之 抗性。 2.根据申请专利范围第1项之方法,其中聚合物包含 烯烃、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、含降冰片烯聚 合物、脂环聚合物或其组合。 3.根据申请专利范围第1项之方法,其中聚合物包含 聚丙烯酸烷酯或聚甲基丙烯酸烷酯。 4.根据申请专利范围第1项之方法,其中聚合物具有 1,000至800,000范围之分子量。 5.根据申请专利范围第1项之方法,其中感光化合物 包含盐。 6.根据申请专利范围第1项之方法,其中感光化合物 包含疏、重氮盐与碘盐。 7.根据申请专利范围第1项之方法,其中基材选自包 括矽、铝、铌酸锂、聚合树脂、二氧化矽、掺染 二氧化矽、砷化镓、第III/V族化合物、氮化矽、 钽、铜、多矽、陶瓷、及铝/铜混合物。 8.根据申请专利范围第1项之方法,其中以ArF雷射进 行曝光。 9.根据申请专利范围第1项之方法,其中以ArF雷射在 1毫焦耳/平方公分至10毫焦耳/平方公分之曝光剂 量进行曝光。 10.根据申请专利范围第1项之方法,其中感光组合 物进一步包含一或更多种选自包括丙二醇烷醚、 乙酸丁酯、乙二醇单乙醚乙酸酯、双(2-甲氧乙)醚 、环戊酮及丙二醇甲醚乙酸酯之残余溶剂。 11.根据申请专利范围第1项之方法,其中该聚合物 以基于感光组合物之非溶剂部份重量为50%至99%之 量存在于感光组合物中,而且感光化合物以1%至20% 之量存在。 12.根据申请专利范围第1项之方法,其中感光组合 物进一步包含一或更多种选自包括非芳族着色剂 、染料、抗静电剂、调平剂、交联剂、塑性剂、 黏附促进剂、增速剂、溶剂、溶解抑制剂、酸产 生剂及界面活性剂之成份。 13.根据申请专利范围第1项之方法,其中显影以硷 性水溶液进行。 14.根据申请专利范围第1项之方法,其中显影以无 金属离子硷性水溶液进行。 15.根据申请专利范围第1项之方法,其中显影以包 含氢氧化钠、氢氧化钾、四甲铵氢氧化物及其混 合物之硷性水溶液进行。 16.根据申请专利范围第1项之方法,其中电子束照 射以均匀之大面积全电子束曝光来源进行,其同时 将感光组合物之实质上所有影像区域曝光。 17.根据申请专利范围第1项之方法,其中电子束照 射以均匀之大面积电子束来源进行,其同时覆盖4 平方英寸至256平方英寸之曝光面积。 18.根据申请专利范围第1项之方法,其中电子束照 射以产生范围为0.5至30KeV之电子束能量程度之来 源进行。 19.根据申请专利范围第1项之方法,其中电子束照 射来自产生范围为1至500,000C/平方公分之电子剂 量之来源。 20.根据申请专利范围第1项之方法,其中电子束照 射由产生1至150毫安培之电子束电流之来源进行。 21.根据申请专利范围第1项之方法,其中进行电子 束照射同时将基材加热至20℃至450℃之温度。 22.根据申请专利范围第1项之方法,其中进行电子 束照射在选自包括氮、氧、氢、氩、氙、氦、氨 、矽烷、氢与氮之掺合物、氨及其混合物之气体 中进行。 23.根据申请专利范围第1项之方法,其中进行电子 束照射同时基材在维持于10-5至102托耳范围之真空 下。 24.根据申请专利范围第1项之方法,其进一步包含 在显影前将以成像方式曝光之感光组合物加热充 份之时间及温度,以在感光组合物之成像方式曝光 区域中增加酸分解聚合物之速率之步骤。 25.一种制造微电子装置影像之方法,其包含: (a)在半导体基材上涂覆及乾燥感光组合物,此感光 组合物包含 (i)至少一种不水溶性酸可分解聚合物,其对约193奈 米波长之紫外线辐射为实质上透明的,其中该聚合 物以在涂覆于基材上及乾燥时足以形成组合物成 份之均匀膜之量存在于感光组合物中; (ii)至少一种在对约193奈米波长之足够活化能量曝 光时可产生酸之感光化合物,该感光化合物以足以 使感光组合物实质上均匀地感光之量存在; (b)以成家方式使感光组合物对约193奈米波长之足 够活化能量曝光,以造成感光化合物产生足够之酸 而在感光组合物之成像方式曝光区域中分解聚合 物; (c)将感光组合物显影因而去除感光组合物之曝光 非影像区域且留下未曝光影像区域; (d)以充份之电子束辐射照射感光组合物之影像区 域因而增加影像区域中之感光组合物对蚀刻剂之 抗性。 26.根据申请专利范围第25项之方法,其进一步包含 在显影前将以成像方式曝光之感光组合物加热充 份之时间及温度,以在感光组合物之成像方式曝光 区域中增加酸分解聚合物之速率之步骤。 27.一种微电子装置影像,其由包含以下之方式制造 : (a)在半导体基材上涂覆及乾燥感光组合物,此感光 组合物包含 (i)至少一种不水溶性酸可分解聚合物,其对约193奈 米波长之紫外线辐射为实质上透明的,其中该聚合 物以在涂覆于基材上及乾燥时足以形成组合物成 份之均匀膜之量存在于感光组合物中; (ii)至少一种在对约193奈米波长之足够活化能量曝 光时可产生酸之感光化合物,该感光化合物以足以 使感光组合物实质上均匀地感光之量存在; (b)以成像方式使感光组合物对约193奈米波长之足 够活化能量曝光,以造成感光化合物产生足够之酸 而在感光组合物之成像方式曝光区域中分解聚合 物; (c)将感光组合物显影因而去除感光组合物之曝光 非影像区域且留下未曝光影像区域; (d)以充份之电子束辐射照射感光组合物之影像区 域因而增加影像区域中之感光组合物对蚀刻剂之 抗性。 28.根据申请专利范围第27项之方法制造之微电子 装置影像,其进一步包含在显影前将以成像方式曝 光之感光组合物加热充份之时间及温度,以在感光 组合物之成像方式曝光区域中增加酸分解聚合物 之速率之步骤。 图式简单说明: 图1显示比较两种193奈米之光阻及248奈米之光阻之 蚀刻速率之图表。 |
