| 主权项 |
1.一种蚀刻液,其特征系于25℃下热氧化膜(THOX)及 硼磷玻璃膜(BPSG)之蚀刻率为100/min以下,且BPSG之 蚀刻率/THOX之蚀刻率为1.5以下,含有至少1种选自氟 化物盐及重氟化物盐所成群(5重量%以下)、与至少 1种选自有机酸及具有杂原子之有机溶剂所成群(95 重量%以上),该氟化物盐及重氟化物盐为铵盐或第 四级铵盐,该有机酸为单羧酸,该有机溶剂为比诱 电率为35以下之有机溶剂者。 2.如申请专利范围第1项之蚀刻液,其中有机溶剂为 选自醇类、酮类、类、醛类、烷二醇单烷醚、 醚类、氟化醇类、环丁及硝基甲烷所成群。 3.如申请专利范围第1项之蚀刻液,其中该氟化物盐 为氟化铵,氟化铵之含有量为0.01~4重量%。 4.如申请专利范围第1项之蚀刻液,其中该重氟化物 盐为一氢二氟化铵,一氢二氟化铵之含有量为0.01-5 重量(但除5重量%)。 5.如申请专利范围第1项之蚀刻液,其中该蚀刻液含 一氢二氟化铵及水,更含至少1种选自有机酸及具 杂原子之有机溶媒所成群者,水浓度为3重量%以下 者。 6.如申请专利范围第1项之蚀刻液,其中该蚀刻液系 含有一氢二氟化铵、水以及异丙醇者,水浓度为3 重量%以下者。 7.如申请专利范围第1项之蚀刻液,其中该蚀刻液系 含有一氢二氟化铵、水及乙醇者,水浓度为3重量% 以下者。 8.如申请专利范围第1项之蚀刻液,其中该蚀刻液系 含有一氢二氟化铵、水及丙酮者,水浓度为3重量% 以下者。 9.如申请专利范围第1项之蚀刻液,其中该蚀刻液系 含有氟化铵,更含有至少1种选自有机酸及具杂原 子之有机溶媒所成群者。 10.如申请专利范围第1项之蚀刻液,其中该蚀刻液 系含有氟化铵及水,更含有至少1种选自有机酸及 具有杂原子之有机溶媒所成群者之水浓度为3重量 %以下者。 11.如申请专利范围第1项之蚀刻液,其中该蚀刻液 系含有氟化铵、水及乙醇,水浓度为3重量%以下者 。 12.如申请专利范围第1项之蚀刻液,其中该蚀刻液 系含有氟化铵、水及异丙醇,水浓度为3重量%以下 者。 13.如申请专利范围第1项之蚀刻液,其中该蚀刻液 系含有氟化铵、水及醋酸,水浓度为1.5重量%以下 者。 14.一种蚀刻处理物之制造方法,其特征系使用如申 请专利范围第1项-第13项中任一项之蚀刻液后,进 行被蚀刻物之蚀刻处理者。 |
