| 主权项 |
1.一种图像读取装置,其特征为利用具有光响应性 之薄膜电晶体作为光检出元件者,且具备: 驱动机构,其系将电压施加至上述薄膜电晶体之闸 极,而将该薄膜电晶体驱动成导通状态或断电状态 者; 上述驱动机构在任意期间对上述闸极施加与使上 述薄膜电晶体成为断电状态之电压之平均极性相 反极性之电压。 2.如申请专利范围第1项之图像读取装置,其中上述 之任意期间系不施行图像读取之期间。 3.如申请专利范围第1项之图像读取装置,其中在上 述任意期间施加电压之时间设定为显示上述薄膜 电晶体之明电流之相对变化之比包括在0.9 ~1.1之 范围内。 4.如申请专利范围第1项之图像读取装置,其中上述 任意期间为上述薄膜电晶体驱动之全部期间之3%~ 30%之期间。 5.如申请专利范围第1项之图像读取装置,其中以任 意周期连续地读取图像时,该周期为0.1Hz~10Hz。 6.如申请专利范围第1项之图像读取装置,其中上述 光检出元件兼作用于选择像素之像素选择元件。 7.如申请专利范围第1项之图像读取装置,其中在上 述任意期间施加至闸极之电压之电位系设定为和 上述薄膜电晶体成为导通状态之电压之电位相等 。 8.一种图像读取装置,其特征为利用具有光响应性 之薄膜电晶体作为光检出元件者,且具备: 驱动电路,其系将电压施加至上述薄膜电晶体之闸 极,而将该薄膜电晶体驱动成导通状态或断电状态 者; 上述驱动电路在任意期间对上述闸极施加与使上 述薄膜电晶体成为断电状态之电压之平均极性相 反极性之电压。 9.一种平板扫描器,其特征为具备利用具有光响应 性之薄膜电晶体作为光检出元件之图像读取装置 者,且具备: 驱动电路,其系将电压施加至上述薄膜电晶体之闸 极,而将该薄膜电晶体驱动成导通状态或断电状态 者; 上述驱动电路在任意期间对上述闸极施加与使上 述薄膜电晶体成为断电状态之电压之平均极性相 反极性之电压。 10.一种手提式扫描器,其特征为具备利用具有光响 应性之薄膜电晶体作为光检出元件之图像读取装 置者,且具备: 驱动电路,其系将电压施加至上述薄膜电晶体之闸 极,而将该薄膜电晶体驱动成导通状态或断电状态 者; 上述驱动电路在任意期间对上述闸极施加与使上 述薄膜电晶体成为断电状态之电压之平均极性相 反极性之电压。 11.一种图像读取方法,其特征为利用检出包含具有 光响应性之薄膜电晶体与连接于该薄膜电晶体之 储存电容之光电变换元件之光电变换量,以读取原 稿图像者,且执行: 充特定量电荷至上述储存电容之第1步骤; 在对上述储存电容之电荷充电完毕后,使上述薄膜 电晶体成为断电状态,利用对该薄膜电晶体之光照 射,将充电于上述储存电容之电荷放电之第2步骤; 在上述电荷放电后求出上述储存电容之残存电荷 量,以检出上述光电变换元件之光电变换量之第3 步骤;及以3个步骤作为图像读取之1周期时, 在由上述第3步骤转移至次一周期之第1步骤之期 间内,执行对上述薄膜电晶体之闸极施加与使该薄 膜电晶体成为断电状态之电压之平约极性相反极 性之电压之第4步骤。 12.如申请专利范围第11项之图像读取方法,其中在 上述第4步骤施加电压至闸极之时间设定为显示上 述薄膜电晶体之明电流之相对变化之比包括在0.9~ 1.1之范围内。 13.如申请专利范围第11项之图像读取方法,其中上 述第4步骤系以多数周期1次之比例被执行。 14.如申请专利范围第11项之图像读取方法,其中上 述第4步骤系在相当于上述薄膜电晶体驱动之全部 期间之3%~30%之期间被执行。 15.如申请专利范围第11项之图像读取方法,其中上 述周期系0.1Hz~ 10Hz。 16.如申请专利范围第11项之图像读取方法,其中在 上述第4步骤施加至闸极之电压之电位系设定为等 于使上述薄膜电晶体成为导通状态时之电压之电 位。 17.如申请专利范围第11项之图像读取方法,其中在 次一周期之第1步骤之充特定量电荷至储存电容之 期间,进行上述第4步骤之施加电压至闸极。 18.如申请专利范围第11项之图像读取方法,其中上 述薄膜电晶体兼作用于选择像素之像素选择元件 与光检出元件。 图式简单说明: 图1系本发明之一实施形态之图像读取装置之概略 构成区块图。 图2系具有图1所示之图像读取装置之二维图像感 测器之概略构成区块图。 图3系图1所示之图像读取装置之概略构成剖面图 。 图4系设置于图2所示之二维图像感测器之感测器 基板之概略区块图。 图5系表示图1所示之图像读取装置之动作流程之 流程图。 图6系图2所示之二维图像感测器之等效电路图。 图7系图1所示之图像读取装置之读出动作之时间 图。 图8系表示图1所示之图像读取装置之读出动作之 顺序之图。 图9系表示图8所示之顺序之扫描之时间图。 图10系图2所示之二维图像感测器之另一等效电路 图。 图11系图1所示之图像读取装置之读出动作之补偿 驱动之顺序之图。 图12系表示图11所示之顺序之扫描A之时间图。 图13系表示图11所示之顺序之扫描B之时间图。 图14系表示图11所示之顺序之扫描C之时间图。 图15系图1所示之图像读取装置之读出动作之另一 补偿驱动之顺序之图。 图16系图1所示之图像读取装置之读出动作之又另 一补偿驱动之顺序之图。 图17系表示图16所示之顺序之扫描A之时间图。 图18系表示图16所示之顺序之扫描A+B之时间图。 图19系图1所示之图像读取装置之读出动作之又另 一补偿驱动之顺序之图。 图20系图1所示之图像读取装置之读出动作之又另 一补偿驱动之顺序之图。 图21系设置于本发明之另一实施形态之图像读取 装置之二维图像感测器之感测器基板之概略构成 区块图。 图22系设置于上述二维图像感到器之图像读取装 置之概略构成区块图。 图23系表示图22所示之图像读取装置之读出动作之 时间图。 图24系图22所示之图像读取装置之读出动作之补偿 驱动之顺序之图。 图25系表示图24所示之顺序之扫描A之时间图。 图26系表示图24所示之顺序之扫描B之时间图。 图27系表示图24所示之顺序之扫描C之时间图。 图28系表示输入补偿信号之时间之时间图。 图29系表示补偿信号期间与TFT之特性变动带来之I photo之相对变化之关系之曲线图。 图30系用于导出图29所示之曲线之TFT之概略剖面图 。 图31系表示帧频率与TFT之特性变动带来之I photo之 相对变化之关系之曲线图。 图32系表示TFT之闸极电流与源极汲极闸电流对光 照射之特性之曲线图。 图33系表示TFT单体在探针测定下之TFT电阻値之时 间经过之变化之曲线图。 |
