| 主权项 |
1.一种LED覆晶晶片之凸块构造,该LED覆晶晶片系包 含有一发光结构、复数个电性连接该发光结构之 焊垫以及复数个设置于该些焊垫上之凸块,每一凸 块系包含: 一电镀形成之铜柱间隔体(Cu pillar standoff formed by electroplating),其系设置于对应之焊垫上,每一铜柱 间隔体系具有一顶面及一柱侧壁;及 一焊料,其系形成于该铜柱间隔体之该顶面上。 2.如申请专利范围第1项所述之LED覆晶晶片之凸块 构造,其中该铜柱间隔体之柱侧壁系被覆有一有机 吸附抗氧化膜,以避免该焊料沾附至该柱侧壁。 3.如申请专利范围第1项所述之LED覆晶晶片之凸块 构造,其中该焊料系为无铅焊料(lead-free solder)。 4.如申请专利范围第1项所述之LED覆晶晶片之凸块 构造,其中该焊料系为纯锡(Sn)。 5.如申请专利范围第1项所述之LED覆晶晶片之凸块 构造,其中该铜柱间隔体之体积系大于该焊料之体 积。 6.如申请专利范围第1项所述之LED覆晶晶片之凸块 构造,其中该铜柱间隔体之体积系大于该焊料之体 积两倍以上。 7.如申请专利范围第1项所述之LED覆晶晶片之凸块 构造,其中该铜柱间隔体之高度约为1070微米(m) 。 8.如申请专利范围第1项所述之LED覆晶晶片之凸块 构造,其中该些焊垫上系形成有一凸块下金属层( UBM),以利接合该些铜柱间隔体。 9.如申请专利范围第1项所述之LED覆晶晶片之凸块 构造,其中该焊料系由电镀形成。 10.如申请专利范围第9项所述之LED覆晶晶片之凸块 构造,其中该焊料系与该铜柱间隔体藉由一光阻材 料之同一开孔加以电镀形成。 11.一种LED覆晶封装构造,包含: 一LED覆晶晶片,其系包含有一发光结构、复数个电 性连接该发光结构之焊垫以及复数个设置于该些 焊垫上之凸块,每一凸块系包含: 一电镀形成之铜柱间隔体,其系设置于对应之焊垫 上,每一铜柱间隔体系具有一顶面;及 一焊料,其系形成于该铜柱间隔体之该顶面上;及 一晶片载体,其系具有一上表面以及复数个位于该 上表面之连接垫,以供该些焊料之接合。 12.如申请专利范围第11项所述之LED覆晶封装构造, 其中该晶片载体之该上表面系缺乏焊罩层(lack of solder mask)。 13.如申请专利范围第11项所述之LED覆晶封装构造, 其另包含有一导热胶,其系形成于该LED覆晶晶片与 该晶片载体之间并密封该些铜柱间隔体。 14.如申请专利范围第11项所述之LED覆晶封装构造, 其中该晶片载体之该上表面系设置有一反射罩。 15.如申请专利范围第14项所述之LED覆晶封装构造, 其中该反射罩系具有在一开口内之反射镜面。 16.如申请专利范围第11或15项所述之LED覆晶封装构 造,其另包含有一透光封胶体,其系密封该LED覆晶 晶片。 17.如申请专利范围第16项所述之LED覆晶封装构造, 其中该透光封胶体系包含有萤光粉。 18.如申请专利范围第11项所述之LED覆晶封装构造, 其中该焊料系为无铅焊料。 19.如申请专利范围第11项所述之LED覆晶封装构造, 其中该焊料系为纯锡。 20.如申请专利范围第11项所述之LED覆晶封装构造, 其中该焊料系为镍金。 21.如申请专利范围第11项所述之LED覆晶封装构造, 其中该铜柱间隔体之体积系大于该焊料之体积。 22.如申请专利范围第11项所述之LED覆晶封装构造, 其中该铜柱间隔体之体积系大于该焊料之体积两 倍以上。 23.如申请专利范围第11项所述之LED覆晶封装构造, 其中该铜柱间隔体之高度约为10~70微米(m)。 24.如申请专利范围第11项所述之LED覆晶封装构造, 其中该些焊垫上系形成有一凸块下金属层(UBM),以 利接合该些铜柱间隔体。 25.如申请专利范围第11项所述之LED覆晶封装构造, 其中该焊料系由电镀形成。 26.如申请专利范围第25项所述之LED覆晶封装构造, 其中该焊料系与该铜柱间隔体藉由一光阻材料之 同一开孔加以电镀形成。 27.一种LED覆晶晶片之凸块构造,该LED覆晶晶片系包 含有一发光结构、复数个电性连接该发光结构之 焊垫以及复数个设置于该些焊垫上之凸块,每一凸 块系包含: 一电镀形成之铜柱间隔体(Cu pillar standoff formed by electroplating),其系设置于对应之焊垫上,每一铜柱 间隔体系具有一顶面及一柱侧壁;及 一金属接合层,其系形成于该铜柱间隔体之该顶面 上。 28.如申请专利范围第27项所述之LED覆晶晶片之凸 块构造,其中该金属接合层系包含镍金。 29.如申请专利范围第27项所述之LED覆晶晶片之凸 块构造,其中该铜柱间隔体之体积系大于该金属接 合层之体积。 30.如申请专利范围第27项所述之LED覆晶晶片之凸 块构造,其中该铜柱间隔体之体积系大于该金属接 合层之体积两倍以上。 31.如申请专利范围第27项所述之LED覆晶晶片之凸 块构造,其中该铜柱间隔体之高度约为10~70微米( m)。 32.如申请专利范围第27项所述之LED覆晶晶片之凸 块构造,其中该些焊垫上系形成有一凸块下金属层 (UBM),以利接合该些铜柱间隔体。 33.如申请专利范围第27项所述之LED覆晶晶片之凸 块构造,其中该金属接合层系由电镀形成。 34.如申请专利范围第33项所述之LED覆晶晶片之凸 块构造,其中该金属接合层系与该铜柱间隔体藉由 一光阻材料之同一开孔加以电镀形成。 图式简单说明: 第1图:习知LED覆晶晶片之截面示意图。 第2图:习知LED覆晶封装构造之截面示意图。 第3图:依本发明之一具体实施例,一种LED覆晶晶片 之截面示意图。 第4图:依本发明之一具体实施例,该LED覆晶晶片在 电镀形成凸块时之截面示意图。 第5图:依本发明之一具体实施例,一种包含该LED覆 晶晶片之LED覆晶封装构造之截面示意图。 |
