| 发明名称 |
PROCEDE DE REALISATION PAR EPITAXIE EN PHASE VAPEUR D'UN FILM DE NITRURE DE GALLIUM A FAIBLE DENSITE DE DEFAUT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2842832(B1) |
申请公布日期 |
2006.01.20 |
| 申请号 |
FR20020009375 |
申请日期 |
2002.07.24 |
| 申请人 |
LUMILOG |
发明人 |
BEAUMONT BERNARD;GIBART PIERRE;FAURIE JEAN PIERRE |
| 分类号 |
C30B23/04;C30B25/04;C30B25/02;C30B29/38;C30B30/02;C30B30/04;H01L21/20;H01L21/205;H01L31/18;H01L33/00;H01S5/323;(IPC1-7):C30B25/04 |
主分类号 |
C30B23/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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