| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zur Verbindung einer integrierten Schaltung (C1), insbesondere von einem Chip oder einem Wafer oder einem Hybrid, mit einem Substrat (C2), welches folgende Schritte aufweist: Vorsehen einer ersten elektrischen Kontaktstruktur (KF1, BP, LB; KF1, BP') auf euber ersten Hauptfläche (HF1) der integrierten Schaltung (C1); Vorsehen einer entsprechenden zweiten elektrischen Kontaktstruktur (KF2) auf einer zweiten Hauptfläche (HF2) des Substrats (C2); wobei mindestens eine der ersten elektrischen Kontaktstruktur (KF1, BP, LB; KF1, BP') und zweiten elektrischen Kontaktstruktur (KF2) elastisch ist; Aufsetzen der ersten elektrischen Kontaktstruktur (KF1, BP, LB; KF1, BP') auf die entsprechende zweite elektrische Kontaktstruktur (KF2), so dass beide in elektrischem Kontakt und unter mechanischem Kompressionsdruck (P) stehen; und Verbinden eines die erste elektrische Kontaktstruktur (KF1, BP, LB; KF1, BP') umgebenden Bereichs der Hauptfläche (HF1) mit einem entsprechenden die zweite elektrische Kontaktstruktur (KF2) der zweiten Hauptfläche (HF2) umgebenden Bereich durch eine Klebeschicht (KS), so dass die erste elektrische Kontaktstruktur (KF1, BP, LB; KF1, BP') und/oder die zweite elektrische Kontaktstruktur (KF2) im verbundenen Zustand komprimiert ist. Die Erfindung schafft ebenfalls eine entsprechende Schaltungsanordnung. |
