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发明名称 LOW LEAKAGE MOS TRANSISTOR
摘要
申请公布号 KR20060006719(A) 申请公布日期 2006.01.19
申请号 KR20040117951 申请日期 2004.12.31
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 LO CHENG YAO;LIN HSIEN CHIN
分类号 H01L21/336;H01L21/265;H01L21/324 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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