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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Maske, insbesondere einer Ätzmaske, auf einem Substrat. DOLLAR A Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Herstellen einer Maske anzugeben, das sich bei Substraten mit zumindest einer erhabenen Struktur besonders einfach und zuverlässig durchführen lässt. DOLLAR A Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren gelöst, bei dem eine erste Maskenschicht (40) auf dem Substrat (10) aufgebracht wird, während oder nach dem Abscheiden der ersten Maskenschicht (40) diese einem Ätzschritt ausgesetzt wird, wobei der Ätzschritt derart durchgeführt wird, dass das auf Seitenflanken (30) der erhabenen Struktur (20) abgeschiedene Material der ersten Maskenschicht (40) vollständig oder zumindest abschnittsweise vollständig von den Seitenflanken (30) entfernt wird, auf die erste Maskenschicht sowie auf die freigelegten Seitenflankenabschnitte (150) der erhabenen Struktur (20) eine zweite Maskenschicht (50) aufgebracht wird und die erste und die zweite Maskenschicht (40, 50) unter Fertigstellung der Maske (60) strukturiert werden.
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