| 发明名称 | 氮化物单晶和其生产方法 | ||
| 摘要 | 一种生产氮化物单晶的方法包括在氮化物晶体(11)的表面上形成含有稀土元素的化合物的材料运输介质层(12)的步骤和和使种晶(13)、和材料运输介质层(12)接触在种晶(13)上生长氮化物单晶(14)的步骤。材料运输介质层(12)包含稀土元素的化合物和选自由铝化合物、碱土化合物和过渡金属化合物组成的组中至少一种化合物。用这个生产方法，得到晶体尺寸至少为10mm的大的氮化物单晶。 | ||
| 申请公布号 | CN1721584A | 申请公布日期 | 2006.01.18 |
| 申请号 | CN200410069892.7 | 申请日期 | 2004.07.15 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 上松康二;中畑成二 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01) | 主分类号 | C30B29/38(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 程金山 |
| 主权项 | 1.一种生产氮化物单晶的方法，包括如下步骤：在氮化物晶体(11)表面上形成包含稀土元素的化合物的材料运输介质层(12)；和使种晶(13)和材料运输介质层(12)接触以在种晶(13)上生长氮化物单晶(14)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||