| 发明名称 | 具有基区局部重掺杂功率双极型晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供的一种具有基区局部重掺杂功率双极型晶体管，它是在现有的功率双极型晶体管的基区5局部重掺杂形成重掺杂基区9，所述的重掺杂基区9的掺杂类型与基区5的掺杂类型相同(指同为p型或同为n型)，其浓度大于基区5的掺杂浓度；重掺杂基区9位于基极电极1下方的基区5里面，且所述的重掺杂基区9和基极电极1紧密接触。与常规的功率双极型晶体管相比，采用这种基区局部重掺杂结构，除了能在基极处形成欧姆接触外，在具有在相同的击穿电压V<SUB>CBO</SUB>情况下，还能大大提高器件的电流增益。 | ||
| 申请公布号 | CN1722460A | 申请公布日期 | 2006.01.18 |
| 申请号 | CN200410040217.1 | 申请日期 | 2004.07.15 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 张波;陈万军;易坤;陈林;李肇基 |
| 分类号 | H01L29/36(2006.01);H01L29/73(2006.01) | 主分类号 | H01L29/36(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1、一种具有基区局部重掺杂功率双极型晶体管，它包括：基极电极(1)、发射极电极(2)、集电极电极(3)、发射区(4)、基区(5)、轻掺杂集电区(6)、重掺杂集电区(7)，其特征是它还包括重掺杂基区(9)；所述的重掺杂基区(9)的掺杂类型与基区(5)的掺杂类型相同(指同为p型或同为n型)，其浓度大于基区(5)的掺杂浓度；所述的重掺杂基区(9)位于基极电极(1)下方的基区(5)里面，且所述的重掺杂基区(9)和基极电极(1)紧密接触。 | ||
| 地址 | 610054四川省成都市建设北路二段4号 | ||