发明名称 微晶玻璃台面板及其制备方法与应用
摘要 本发明涉及一种建筑构件微晶玻璃台面板及其制备方法与应用,该微晶玻璃台面板以石英砂和石灰石等为配合料,经第一次烧结而得玻璃粒料,将玻璃粒料平辅于依据一定形状制得的围合阻挡层内进行第二次烧结,将冷却后的半成品微晶构件于晶化窑炉中进行第三次烧结,烧结时的微晶化处理温度为1110℃-1140℃,而且单次晶化温度的变化应控制在0℃-10℃之间,处理时间为50-70分钟,烧结后经抛光、研磨、整形而得成品。本发明解决了现有微晶玻璃板材无法作为台面板使用的问题,使生成的台面板内部致密,无气泡,耐磨,易于修整,具有良好的美感和质感,档次高,而操作工艺易于控制。
申请公布号 CN1721350A 申请公布日期 2006.01.18
申请号 CN200410155161.4 申请日期 2004.07.12
申请人 许步晶 发明人 许步晶
分类号 C03B32/02(2006.01);C03B5/235(2006.01) 主分类号 C03B32/02(2006.01)
代理机构 福州展晖专利事务所 代理人 林天凯
主权项 1、微晶玻璃台面板,该台面板由如下方法制备而获得:以至少包含有石英砂和石灰石的配合料为原料,将配合料混合均匀后送入玻璃熔窑中进行第一次烧结,熔制的温度为1300~1600℃,待玻璃溶液成份均匀、气泡澄清后在水中淬火烘干而得玻璃粒料;提供一种阻挡层,它确定该玻璃粒料的至少一个表面临界层,所述的阻挡层表面铺设有耐火防粘层,和提供一种晶化窑炉;将玻璃粒料均匀地平摊于阻挡层表面,于晶化窑炉中进行第二次烧结,烧结后的玻璃粒料形成一个固态玻璃晶相构件,并由该阻挡层建立起上述的表面,然后自然冷却;将冷却后的半成品微晶构件于晶化窑炉中进行第三次烧结,烧结时的微晶化处理温度为1110℃-1140℃,而且单次晶化温度的变化应控制在0℃-10℃之间,处理时间为50-70分钟,烧结后形成致密的微晶构件;最后用石材切削机械抛光、研磨、整形而得成品。
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