| 发明名称 | 具有改善的能量脉冲等级的二极管 | ||
| 摘要 | 一种能量脉冲钳位半导体二极管(16)包括：衬底(20)，其具有第一高浓度等级(例如n++)的第一导电类型的载流子，第一主表面和与该第一主表面相对的第二主表面；半导体材料层(22)，具有低于第一等级的第二浓度等级(例如n+)的第一导电类型的载流子，并且具有外表面；形成在外表面上的区域(26)，具有第三浓度等级(例如p+)的第二导电类型的载流子；至少一个单元，具有高于第三浓度等级(例如p++)的第四浓度等级的第二导电类型载流子；阴极电极(30)和阳极电极(28)。该二极管优选地包括在过电压保护电路中，该过电压保护电路包括与阴极电极串联连接且与二极管热连接的PPTC电阻器。 | ||
| 申请公布号 | CN1722470A | 申请公布日期 | 2006.01.18 |
| 申请号 | CN200510083799.6 | 申请日期 | 2005.06.14 |
| 申请人 | 泰科电子有限公司 | 发明人 | A·科甘;栾纪源;A·米科拉察克 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01);H01L23/58(2006.01);H01L21/329(2006.01) | 主分类号 | H01L29/861(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;梁永 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，包括：(a)半导体材料的平面衬底，具有第一高浓度等级的第一导电类型的载流子，第一主表面以及与所述第一主表面相对的第二主表面；(b)半导体材料层，其作为和所述第一主表面相邻的所述衬底中或衬底上的其中之一，具有低于所述第一等级的第二浓度等级的所述第一导电类型的载流子，并具有外表面；(c)至少一个区域，其形成在所述外表面上且具有第三浓度等级的第二导电类型的载流子；(d)至少一个单元，其形成在所述外表面上且具有高于所述第三浓度等级的第四浓度等级的所述第二导电类型的载流子；(e)第一电极层，其形成在所述外表面上；以及(f)第二电极层，其形成在所述第二主表面上。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||