发明名称 |
具多晶方向的CMOS逻辑闸及其形成方法 |
摘要 |
本发明是有关于一种具多晶方向的CMOS逻辑闸及其形成方法,是一种使用SOI与混合基材方向形成CMOS元件的方法。依照本发明的一较佳实施例,基材可具有多种结晶方向。基材中的逻辑闸可包括位于一结晶方向上的至少一N-FET及位于另一结晶方向上的至少一P-FET。基材中的另一逻辑闸可包括位于相同结晶方向上的至少一N-FET及至少一P-FET。而在本发明的其他较佳实施例中,则更包括确定基材的较佳分裂平面,以及定位相对于彼此的基材,以考量其的个别较佳分裂平面。其中,分裂平面较佳的为不平行。 |
申请公布号 |
CN1722439A |
申请公布日期 |
2006.01.18 |
申请号 |
CN200510073470.1 |
申请日期 |
2005.05.30 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈宏玮;吴炳坤;王昭雄;杨富量;胡正明 |
分类号 |
H01L27/092(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/092(2006.01) |
代理机构 |
北京中原华和知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
寿宁;张华辉 |
主权项 |
1、一种半导体元件,其至少包含:一基材,该基材具有一第一区与一第二区,该第一区具有一第一结晶方向,该第二区具有一第二结晶方向,其中该第二结晶方向不同于该第一结晶方向;一第一逻辑闸,形成于该第一区上;以及一第二逻辑闸,形成于该第二区上,其中该第一区具有一第一较佳分裂平面,该第二区具有一第二较佳分裂平面,而该第一较佳分裂平面不平行于该第二较佳分裂平面。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号 |