| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种吸杂效率优异的半导体器件制造方法。当借助于将磷加入到多晶硅膜中，该膜通过加入金属已被结晶，然后热处理得到的多晶硅膜而进行吸杂时，它在用于注入磷的多晶硅膜上提供了新颖设计的小岛状绝缘膜形状。由此，加入了磷的区域与未加入磷的区域之间的边界表面的面积被增大，从而提高了吸杂效率。 | ||
| 申请公布号 | CN1722368A | 申请公布日期 | 2006.01.18 |
| 申请号 | CN200510076545.1 | 申请日期 | 2000.12.28 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 中村理;胜村学;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/322(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，它包含下列步骤：制作具有包含硅作为主要成分的非晶结构的半导体膜的过程；将金属加入到所述具有非晶结构的半导体膜的步骤；利用第一热处理，将所述具有非晶结构的半导体膜重新形成为包含硅作为主要成分的结晶半导体膜的过程；形成小岛状绝缘膜的过程；以所述小岛状绝缘膜作为掩模，将氩加入到所述结晶半导体膜，以形成其中所述氩已经被加入到所述结晶半导体膜的区域的过程；以及对所述结晶半导体膜进行第二热处理，以便对已经加入了所述氩的区域吸杂所述金属。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县厚木市 | ||