| 发明名称 | 栅氧化膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种栅氧化膜的制造方法，在衬底上形成场绝缘膜(12)之后，形成牺牲或栅氧化膜作为氧化膜(14a和14b)。在元件口(12a)中，利用抗蚀剂层(16)作掩模，经由氧化膜(14a)，通过氩(或氟)离子的一个或多个注入工艺形成离子注入层(18)。当使用氧化膜(14a和14b)作牺牲氧化膜时，在除去抗蚀剂膜(16)及氧化膜(14a和14b)之后，在元件口(12a和12b)中形成栅氧化膜。当使用氧化膜(14a和14b)作为栅氧化膜时，通过蚀刻一次减薄氧化膜，并且在除去抗蚀剂层(16)之后使其加厚。由于形成离子注入层(18)，使得栅氧化膜(14a)比栅氧化膜(14b)厚。 | ||
| 申请公布号 | CN1722408A | 申请公布日期 | 2006.01.18 |
| 申请号 | CN200510091367.X | 申请日期 | 2005.06.09 |
| 申请人 | 雅马哈株式会社 | 发明人 | 高见秀诚 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种栅氧化膜的制造方法，包括如下步骤：(a)制备半导体衬底；(b)在半导体衬底的一个主表面上形成具有第一和第二元件口的场绝缘膜；(c)通过第一热氧化工艺在第一和第二元件口内的半导体表面上分别形成第一和第二牺牲氧化膜；(d)在场绝缘膜上形成抗蚀剂层，该抗蚀剂层暴露出第一元件口且覆盖第二元件口；(e)在20至50keV的加速电压和1×1014至2×1016ions/cm2的剂量的条件下，用抗蚀剂层作掩模，通过将氩离子经由第一牺牲氧化膜注入到第一元件口内的半导体部分中形成离子注入层；(f)在形成离子注入层之后除去抗蚀剂层；(g)在除去抗蚀剂层之后除去第一和第二牺牲氧化膜；以及(h)在除去第一和第二牺牲氧化膜之后，通过第二热工艺在第一和第二元件口中的半导体表面上分别形成第一和第二栅氧化膜，其中由于基于离子注入层的加速氧化，使第一栅氧化膜形成得比第二栅氧化膜厚。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||