| 发明名称 | 生单色X－射线的X－射线源 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种X－射线源，其包括：用于发射电子(E)的电子源(1)、响应于入射的电子(E)而发射特有的、基本为单色X－射线(C)的靶(4)和外耦合X－射线的外耦合装置(11)。为了获得具有高功率负荷率的特有的、基本上单色的X－射线，电子在厚度小于10μm的金属箔(5)上入射并且放置基底装置(7、12)，其中所述金属箔(5)的金属具有能够产生X－射线(C)的高原子序数，并且基底装置(7、12)主要包括的材料具有不产生X－射线(C)的低原子序数。外耦合装置适于在电子(E)入射的金属箔(5)侧面上外耦合X－射线(C)，金属箔的该侧面与基底装置(7、12)的侧面相对，因为在该侧面上几乎没有轫致辐射产生。 | ||
| 申请公布号 | CN1723526A | 申请公布日期 | 2006.01.18 |
| 申请号 | CN200380105605.7 | 申请日期 | 2003.12.03 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | G·哈丁格 |
| 分类号 | H01J35/08(2006.01) | 主分类号 | H01J35/08(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;王忠忠 |
| 主权项 | 1、一种X-射线源，其包括：用于发射电子(E)的电子源(1)，响应于入射的电子(E)而发射特有的、基本为单色X-射线(C)的靶(4)，所述靶(4)包括厚度小于10μm的金属箔(5)和用于承载所述金属箔(4)的基底装置(7、12)，其中所述金属箔(5)的金属具有能够产生X-射线(C)的高原子序数，并且基底装置(7、12)主要包括的材料具有不产生X-射线(C)的低原子序数，和在金属箔(5)的侧面上外耦合X-射线(C)的外耦合装置(11)，在金属箔的该侧面上电子(E)入射，并且该侧面与基底装置(7、12)的侧面相对。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||