| 发明名称 | 模板型衬底及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种用于光电或电气器件的模板型衬底，其包括A)含有至少一种碱金属元素(I族，IUPAC 1989)的块状单晶氮化物层和B)通过气相外延生长来生长的氮化物层，其中层A)与层B)结合在层A)的非N极性面与层B)的N极性面处。因此，所述模板型衬底具有良好的位错密度和来自(0002)平面的X射线摇摆曲线的小于80的良好FWHM值，从而所得的模板型衬底非常适用于从气相外延衬底，如MOCVD、MBE与HVPE，从而可以制作良好的光电器件如激光二极管和大输出的LED以及良好的电气器件如MOSFET。 | ||
| 申请公布号 | CN1723302A | 申请公布日期 | 2006.01.18 |
| 申请号 | CN200380105624.X | 申请日期 | 2003.12.11 |
| 申请人 | 阿莫诺公司;日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 罗伯特·德维林斯基;罗曼·多拉津斯基;耶日·加尔钦斯基;莱谢克·西尔兹普托夫斯基;神原康雄 |
| 分类号 | C30B25/02(2006.01);C30B25/18(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | C30B25/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1.一种用于光电或电气器件的模板型衬底，其包括A)含有至少一种碱金属元素(I族，IUPAC 1989)的块状单晶氮化物层和B)通过气相外延生长方法生长的氮化物层，其中层A)与层B)结合在层A)的非N极性面与层B)的N极性面处。 | ||
| 地址 | 波兰华沙 | ||