| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，包括具有槽的半导体衬底；埋入槽的下部而且含有绝缘粒子的粒状绝缘层；以及被覆粒状绝缘层上面的软溶性电介质层，绝缘粒子在软溶性电介质层的熔点或软化点是稳定的。 | ||
| 申请公布号 | CN1237604C | 申请公布日期 | 2006.01.18 |
| 申请号 | CN03122458.X | 申请日期 | 2003.04.28 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 奥村秀树;小林仁;土谷政信;大泽明彦;相田聪;上月繁雄;泉沢优 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;陈海红 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，其特征是具备：具有槽的半导体衬底；埋入上述槽的至少下部而且具备绝缘粒子的粒状绝缘层；以及被覆上述粒状绝缘层上面的软溶性电介质层，上述绝缘粒子在上述软溶性电介质层的熔点或软化点是稳定的。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||